प्लॅस्टिक स्प्रूचे लेझर कटिंग: एक आढावा

वाष्पीभवन कटिंग:

एक केंद्रित लेझर किरण पदार्थाच्या पृष्ठभागाला उकळत्या तापमानापर्यंत गरम करतो, ज्यामुळे एक किहोल (छिद्र) तयार होते. मर्यादित जागेमुळे वाढलेल्या शोषणामुळे छिद्र वेगाने खोल होते. जसे छिद्र खोल होत जाते, तसे उकळण्याच्या प्रक्रियेदरम्यान निर्माण झालेली वाफ वितळलेल्या भिंतीची झीज करते, धुक्याच्या रूपात बाहेर उडते आणि छिद्र आणखी मोठे करते. ही पद्धत सामान्यतः लाकूड, कार्बन आणि थर्मोसेटिंग प्लॅस्टिक्ससारखे न वितळणारे पदार्थ कापण्यासाठी वापरली जाते.

वितळणे:
वितळवण्याच्या प्रक्रियेमध्ये, पदार्थाला त्याच्या वितळणबिंदूपर्यंत गरम केले जाते आणि नंतर वायूच्या झोतांनी वितळलेला पदार्थ उडवून लावला जातो, ज्यामुळे तापमानात आणखी वाढ होत नाही. ही पद्धत सामान्यतः धातू कापण्यासाठी वापरली जाते.

औष्णिक ताणामुळे होणारे फ्रॅक्चर:
ठिसूळ पदार्थ औष्णिक भेगांसाठी विशेषतः संवेदनशील असतात, ज्यांचे वैशिष्ट्य म्हणजे औष्णिक ताणाच्या भेगा. केंद्रित प्रकाशामुळे स्थानिक उष्णता आणि औष्णिक प्रसरण होते, ज्यामुळे भेग निर्माण होते आणि त्यानंतर ती भेग पदार्थातून आरपार जाते. ही भेग प्रति सेकंद मीटरच्या वेगाने पसरते. ही पद्धत सामान्यतः काच कापण्यासाठी वापरली जाते.

सिलिकॉन वेफरचे गुप्तपणे तुकडे करणे:
तथाकथित स्टेल्थ डायसिंग प्रक्रियेमध्ये सिलिकॉन वेफर्सपासून मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक चिप्स वेगळे करण्यासाठी सेमीकंडक्टर उपकरणांचा वापर केला जातो. यामध्ये 1064 नॅनोमीटर तरंगलांबीच्या पल्स्ड Nd: YAG लेसरचा वापर केला जातो, जी सिलिकॉनच्या इलेक्ट्रॉनिक बँडगॅपशी (1.11 इलेक्ट्रॉन व्होल्ट किंवा 1117 नॅनोमीटर) जुळते.

प्रतिक्रियात्मक कटिंग:
फ्लेम कटिंग किंवा कम्बश्चन-असिस्टेड लेझर कटिंग म्हणूनही ओळखले जाणारे, रिॲक्टिव्ह कटिंग हे ऑक्सि-फ्युएल कटिंगप्रमाणेच कार्य करते, परंतु यात लेझर बीम प्रज्वलन स्रोत म्हणून काम करतो. ही पद्धत १ मिमी पेक्षा जास्त जाडीचे कार्बन स्टील कापण्यासाठी योग्य आहे. यामुळे जाड स्टील प्लेट्स कापताना तुलनेने कमी लेझर पॉवर वापरता येते.